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滿足新能源充電標準 長園維安MOS??櫬蔥路庾?/strong>

2019-11-21 10:21:54 來源:华体足球即时赔率 點擊:7650

【大比特導讀】郭建軍認為,目前MOS??槭鞘忻嬪媳冉先讓諾牡靨薊櫳虜牧系墓丶?,為了做到更小的電阻,就要避免更多的單體,因此在規范化期間做到更高耐壓1200伏,1700伏則是它的優勢。

在11月8日的“第十三屆(上海)新能源汽車核心電源技術研討會”上,長園維安產品應用經理郭建軍先生帶來了《超結SJ-MOSFET 在充電機領域的應用》的主題演講。

郭經理演講內容大致可分為MOSFET ID&IDM、防止LLC啟動/短路,MOSFET直通的電路,浪涌抑制電路、新能源充電機/充電樁以及長園維安SJ-MOSFET。

作為研討會當日第一位出場演講嘉賓,郭經理首先介紹了MOSFET的內部框架,如下圖中間紅色部分是主芯片,周圍布滿銀膠形狀主要是起連接作用,最外層的塑封體是用于絕緣固化,整個框架可以理解為是一個散熱器。再如下正視圖可見,中間區域為有源區,邊緣處為終端區,如果放大內部構造看的話,是可以看到單個MOS的??槭譴⒘淖刺?,并且單體的性能決定了整體的性能,另外MOS???/a>要做到高度電壓,就要串聯更多的???。

MOSFET
MOSFET

郭建軍認為,目前MOS??槭鞘忻嬪媳冉先讓諾牡靨薊櫳虜牧系墓丶?,為了做到更小的電阻,就要避免更多的單體,因此在規范化期間做到更高耐壓1200伏,1700伏則是它的優勢。

SJ-MOSFET主要工藝

據郭建軍介紹,SJ-MOSFET 主要工藝 Multi-EPI 多次外延首先從為N- epi 生長、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循環多次迭代形成結構、制作MOS表面結構。

而SJ-MOSFET 主要工藝-Deep Trench 深溝槽首先是N- epi生長、然后刻蝕深溝槽、再者生長P型外延、最后才是制作MOS表面結構。

MOSFET封測順序則是晶粒切割、晶粒黏貼、焊線、塑封、切割成型以及最終測試。

MOSFET IDM

1) 在一定的脈沖寬度下,基于功率MOSFET的轉移工作特性或輸出特性的真正的單脈沖最大電流測量值。

2) 在一定的脈沖寬度下,基于瞬態的熱阻和最大結溫的計算值。

(3) IDM 最大漏極電流也由器件源極鍵合引線的熔斷電流決定。

防止LLC啟動/短路,MOSFET直通的電路

郭建軍表示,推薦使用MOSFET 內部快速恢復二極管,而例如 INF CFD2,則有成本高,未從源頭消除問題的不足之處。

防止LLC啟動/短路,MOSFET直通的電路

浪涌抑制電路

郭建軍對于浪涌抑制電路較為理想,他認為它的優勢在于GDT 小的技術電容不影響信號和系統連接;MOV 漏電流更小(MOV 理解為待機狀態,不是時刻都接入到母線中);開關電源和白色家電產品延長MOV 的壽命,提高系統可靠性。

浪涌抑制電路
 

車載充電機

結合今次新能源汽車主題,長園維安第三代深溝槽工藝應用于車載充電機上防浪涌防雷電路、有源PFC整流器、主功率、輔助電源+5V和+12V。

車載充電機
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MOSFET 充電機
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